计算机开展速度一向都在高速的改动着，可是中心的硬件确让咱们有点绝望，并没能跟上咱们的预期。
大概在5年前，咱们感觉RAM内存和闪存存储现已不太够用了。正如处理器现已从高主频转向多中心，电脑的内存介质也需求一次严重的改造。
咱们现已看到了闪存介质的存储空间越来越大，比方2TB的SD卡、更大容量的SSD固态硬盘等，但在技能没有改造的情况下，瓶颈是在所难免的。新一代的内存技能，不只可以让闪存完成数百GB乃至几TB的容量，还可以改动DRAM无法长期存储信息的坏处，让内存也可以存储文件，完成更先进的体系形状。
现在，现已具有十几种正在开发的新式存储技能，将在未来改动计算机的硬件结构，下面来简略了解一下。
操作体系的影响
首要，更先进的数据存储计划也会在操作体系层面提高数据管理的功率。微软的文件体系专家Spencer Shepler表明，假如可以让RAM在体系索引方面发挥更大效果，直接链接到文件并一向存储在RAM中，那么电脑的数据拜访速度将取得极大的提高。
当然，假如RAM中的数据不会消失，还会引发一系列的问题。比方，当体系从头启动时怎么查看体系完整性?那么，怎么像运用硬盘那样把内存中的数据导出?假如不幸电脑感染病毒，那么内存中的数据不会消失，怎么保护计算机的安全性?
这些都是操作体系和使用程序设计者该考虑的问题。Spencer Shepler表明，这需求涉及到信息体系的重建，体系厂商需求开宣布更先进的新技能来完成数据管理。
新一代内存的竞争者
传统DRAM内存运用的是电容原料进行数据的存储，有必要隔一段时间改写一次，所以无法完成数控的永久存储;而回忆电阻原料，则有可能成为其代替品。比方惠普正在研制的 “忆阻器内存”，可以运用离子氧化钽扩展或缩短电压，当电源封闭时，存储元件可以坚持形状，数据不会丢掉。现在，比如松下、海力士、Rambus等多个厂商，都在运用不同的回忆电阻原料，来开发新式的RAM。现在回忆电阻内存的首要瓶颈在于速度，不过惠普表明跟着技能的开展，回忆电阻的速度最终会到达现在DRAM的速度。
回忆电阻内存
其他厂商也在相似的产品，如IBM，正在研讨相变类存储介质，运用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的，在加热和冷却时不会丢掉数据;纳米RAM也是一种相似的原理，运用网状碳纳米管原料来代替传统电容内存。
IBM相变存储芯片
不过，因为技能本钱的联系，现在惠普主推的忆阻器内存最有可能完成商用，但初期的价格仍会比较贵重。明显，传统闪存和DRAM仍然会执役很长一段时间，可是在操作体系、存储介质不断开展的情况下，未来的电脑文件存储和使用都将发作巨大的改动。
信任未来这款产品可以改动PC，咱们也等待这款产品的使用，未来的PC会是怎样的呢？让咱们拭目而待。
